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Transistor: NPN; SiGe: C; bipolare; RF; 13V; 0,15A; 0,5W; TSFP-4


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Informazioni sul prodotto
Transistor: NPN; SiGe: C; bipolare; RF; 13V; 0,15A; 0,5W; TSFP-4
Transistor: NPN; SiGe: C; bipolare; RF; 13V; 0,15A; 0,5W; TSFP-4
N. Articolo:
     5068-BFP650FH6327
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BFP650FH6327
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
SMD transistor
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Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: TSFP-4
Frequenza: 42GHz
Tensione collettore-emettitore: 13V
Corrente del collettore: 0,15A
Tipo del transistor: NPN
Potenza dissipata: 0,5W
Polarizzazione: bipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Tecnologia: SiGe:C
Genere di transistor: RF
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