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Transistor: NPN; bipolare; RF; 4V; 30mA; 0,16W; SOT343


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Informazioni sul prodotto
Transistor: NPN; bipolare; RF; 4V; 30mA; 0,16W; SOT343
Transistor: NPN; bipolare; RF; 4V; 30mA; 0,16W; SOT343
N. Articolo:
     5068-BF888H6327XTSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BF888H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
SMD transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: SOT343
Frequenza: 47GHz
Tensione collettore-emettitore: 4V
Amplificazione del transistor: 250
Corrente del collettore: 30mA
Tipo del transistor: NPN
Potenza dissipata: 0,16W
Polarizzazione: bipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di transistor: RF
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