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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-B2M065120H
Produttore:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     B2M065120H
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 33A
Resistenza nello stato di conduzione: 65mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 60nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -4...18V
Corrente di drain pulsata: 85A
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