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Modulo; diodo SiC/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-APTCV60HM45RCT3G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APTCV60HM45RCT3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo diodo
Moduli diodi
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Corpo: SP3F
Struttura del semiconduttore: diodo SiC/transistor
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 38A
Corrente del collettore: 50A
Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ
Potenza dissipata: 250W
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET/IGBT
Tecnologia: SiC;CoolMOS™;Trench;Field Stop
Tensione porta-sorgente: ±20V
Topologia: termistore NTC;ponte ad H;ponte monofase a diodi
Corrente di drain pulsata: 130A
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, modulo diodo
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