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Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
N. Articolo:
     5068-APT80GP60B2G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT80GP60B2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: T-Max
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 100A
Corrente del collettore nel impulso: 330A
Tempo d'avvio: 69ns
Tempo d'interruzione: 233ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 1041W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 280nC
Tecnologia: POWER MOS 7®;PT
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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