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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-APT35GP120J
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT35GP120J
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 29A
Corrente del collettore nel impulso: 140A
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: POWER MOS 7®;PT
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, fet di giunzione
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