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Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max
N. Articolo:
     5068-APT35GP120B2DQ2G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT35GP120B2DQ2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: T-Max
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 46A
Corrente del collettore nel impulso: 140A
Tempo d'avvio: 36ns
Tempo d'interruzione: 0,22µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 543W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 150nC
Tecnologia: POWER MOS 7®;PT
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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