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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK
N. Articolo:
     5068-APT25GR120S
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT25GR120S
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: SMD
Corpo: D3PAK
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 100A
Tempo d'avvio: 26ns
Tempo d'interruzione: 164ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 521W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 154nC
Tecnologia: POWER MOS 8®;NPT
Stato del componente: Non raccomandato per nuovi progetti
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