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Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; TO264
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; TO264
N. Articolo:
     5068-APT150GN60LDQ4G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT150GN60LDQ4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 123A
Corrente del collettore nel impulso: 450A
Tempo d'avvio: 154ns
Tempo d'interruzione: 575ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 536W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 970nC
Tecnologia: Field Stop
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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