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Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
N. Articolo:
     5068-APT100GN60LDQ4G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT100GN60LDQ4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 135A
Corrente del collettore nel impulso: 300A
Tempo d'avvio: 96ns
Tempo d'interruzione: 435ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 625W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 600nC
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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