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Transistor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; Eoff: 0,27mJ; Eon: 0,47mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; Eoff: 0,27mJ; Eon: 0,47mJ
Transistor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; Eoff: 0,27mJ; Eon: 0,47mJ
N. Articolo:
     5068-AOTF20B65M1
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOTF20B65M1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220F
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Tensione di saturazione coll-emett.: 1,7V
Corrente del collettore: 20A
Corrente del collettore nel impulso: 60A
Tempo d'avvio: 51ns
Tempo d'interruzione: 166ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 18W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 46nC
Energia di attivazione: 0,47mJ
Energia disattivazione: 0,27mJ
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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