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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 7,5A; 1,6W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 7,5A; 1,6W; SO8
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 7,5A; 1,6W; SO8
N. Articolo:
     5068-AOSD62666E
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOSD62666E
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 7,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 14,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 6,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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