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Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0,09mJ; Eon: 0,12mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0,09mJ; Eon: 0,12mJ
Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0,09mJ; Eon: 0,12mJ
N. Articolo:
     5068-AOD6B60M1
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOD6B60M1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Tensione di saturazione coll-emett.: 1,7V
Corrente del collettore: 6A
Corrente del collettore nel impulso: 18A
Tempo d'avvio: 20ns
Tempo d'interruzione: 158ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 28W
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 14nC
Energia di attivazione: 0,12mJ
Energia disattivazione: 0,09mJ
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