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Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0,049mJ; Eon: 0,081mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0,049mJ; Eon: 0,081mJ
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0,049mJ; Eon: 0,081mJ
N. Articolo:
     5068-AOD5B65N1
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOD5B65N1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Tensione di saturazione coll-emett.: 2,5V
Corrente del collettore: 5A
Corrente del collettore nel impulso: 15A
Tempo d'avvio: 23ns
Tempo d'interruzione: 114ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 21W
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 9,2nC
Energia di attivazione: 0,081mJ
Energia disattivazione: 0,049mJ
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