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Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21,7W; TO252; Eoff: 0,04mJ; Eon: 0,14mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21,7W; TO252; Eoff: 0,04mJ; Eon: 0,14mJ
Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21,7W; TO252; Eoff: 0,04mJ; Eon: 0,14mJ
N. Articolo:
     5068-AOD5B60D
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOD5B60D
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Tensione di saturazione coll-emett.: 1,55V
Corrente del collettore: 5A
Corrente del collettore nel impulso: 20A
Tempo d'avvio: 27ns
Tempo d'interruzione: 124ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 21,7W
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 9,4nC
Energia di attivazione: 0,14mJ
Energia disattivazione: 0,04mJ
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