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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 12V; 3,1W; DFN10


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-AOC3878
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOC3878
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: DFN10
Struttura del semiconduttore: drenaggio comune
Tensione drenaggio-fonte: 12V
Resistenza nello stato di conduzione: 2mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 3,1W
Polarizzazione: unipolare
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 60nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
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