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MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9228018
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMN6A11GTA
EAN/GTIN:
     5059043418346
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,4 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
3,9 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 9228018, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, ZXMN6A11GTA
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