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MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-9175475
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS5670
EAN/GTIN:
     5059042011791
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
14 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 9175475, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDS5670
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