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MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-9163725
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     DN2625DK6-G
EAN/GTIN:
     5059040119543
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Transistor MOSFET a canale N DN2625. Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Caratteristiche. Bassa tensione di soglia del gate Progettati per essere azionati dalla sorgente Basse perdite di commutazione Capacità di uscita effettiva bassa Progettato per carichi induttivi
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
1,1 A
Tensione massima drain source:
250 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
3,5 Ω
Modalità del canale:
Depletion
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Carica gate tipica @ Vgs:
7,04 nC @ 1,5 V
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 9163725, Semiconduttori, Discreti, Microchip, DN2625DK6G
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