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MOSFET Infineon, canale N, 17,8 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-9154954
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7351TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043008189
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET di potenza doppio a canale N, Infineon. I MOSFET di potenza doppi di Infineon integrano due dispositivi HEXFET® per fornire soluzioni di commutazione salvaspazio in progetti ad alta densità di componenti in cui lo spazio su scheda è particolarmente ristretto. È disponibile una vasta gamma di opzioni e i progettisti possono scegliere la configurazione doppia a canale N.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
8 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
17,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 9154954, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF7351TRPBF
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