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MOSFET Infineon, canale N, 44 mΩ, 33 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-9148154
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF540NPBF
EAN/GTIN:
     5060641225458
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
33 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
44 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
130 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.54mm
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 9148154, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF540NPBF
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Accessori
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 10,8 → 13,2 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D122005SC
a partire da € 6,219*
Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 10,8 → 13,2 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D122005SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 13,5 → 16,5 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D152005SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 13,5 → 16,5 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D152005SC
a partire da € 6,1132*
Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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