MOSFET Infineon, canale P, 23 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®. I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.. · Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica) · Placcatura senza piombo; conformità RoHS