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MOSFET Infineon, canale N, 3,6 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9110822
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB036N12N3GATMA1
EAN/GTIN:
     5059043246024
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
180 A
Tensione massima drain source:
120 V
Tipo di package:
D2PAK-7
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
3,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.31mm
Altri termini di ricerca: 9110822, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB036N12N3GATMA1
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