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MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 13 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-8977630
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPW65R190C7XKSA1
EAN/GTIN:
     5059043845555
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tensione massima drain source:
700 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
CoolMOS™ C7
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
72 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
16.13mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 8977630, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPW65R190C7XKSA1
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INFINEON 2EDN7524RXUMA1 Corrente di Source (Sorgente) 5 A Tipo di Interruttore
Infineon
2EDN7524RXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7523FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7523FXTMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7524FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7524FXTMA1
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