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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-8977239
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW50N60H3FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043739472
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
333 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Classe di efficienza energetica:
2.55mJ
Capacità del gate:
2960pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 8977239, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW50N60H3FKSA1
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