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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8772905
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGW30NC60KD
EAN/GTIN:
     5059042686753
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
60 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.75 x 5.15 x 24.45mm
Classe di efficienza energetica:
1435mJ
Capacità del gate:
2170pF
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 8772905, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGW30NC60KD
Riepilogo condizioni1
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
a partire da € 15,81*
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