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IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252)


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8772879
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGD5NB120SZT4
EAN/GTIN:
     5059042549997
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
SMD transistor
Transistor SMD
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
10 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
75 W
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Classe di efficienza energetica:
12.68mJ
Capacità del gate:
430pF
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, smd transistor, 8772879, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGD5NB120SZT4
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
Tipo
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Prezzo
Accessori
Trasformatore di corrente EPCOS, ingresso 20A, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
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