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IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-8648855
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGH40T120SMD
EAN/GTIN:
     5059042649765
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±25V
Dissipazione di potenza massima:
555 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 8648855, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGH40T120SMD
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MGJ3T12150505MC-R7
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