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MOSFET onsemi, canale N, 259 mΩ, 1,2 A, SOT-363, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-8648142
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG1024NZ
EAN/GTIN:
     5059042664423
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC. Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
1,2 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-363
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
259 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
300 mW, 360 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 8648142, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDG1024NZ
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