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MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 9,7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-8312821
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF520NSTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043020303
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9,7 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
48 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 8312821, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF520NSTRLPBF
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