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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3P


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8297136
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGWT80H65DFB
EAN/GTIN:
     5059042700848
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
120 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
469 W
Tipo di package:
TO-3P
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.8 x 5 x 20.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 8297136, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGWT80H65DFB
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Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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