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MOSFET Toshiba, canale N, 13,8 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8276191
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK32E12N1,S1X(S
EAN/GTIN:
     5059041168786
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, serie TK3x, Toshiba
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
60 A
Tensione massima drain source:
120 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
TK
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
13,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
98 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.16mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 8276191, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TK32E12N1,S1X(S
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