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MOSFET Toshiba, canale N, 340 mΩ, 11,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8276126
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK12P60W,RVQ(S
EAN/GTIN:
     5059041174022
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, serie TK1x, Toshiba
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
11,5 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
TK
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
340 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.7V
Dissipazione di potenza massima:
100 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
6.6mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 8276126, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TK12P60W,RVQ(S
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Epcos
B82801B0205A100
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