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MOSFET Texas Instruments, canale N, 10,8 mΩ, 100 A, VSONP, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8274909
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD18563Q5A
EAN/GTIN:
     5059042481228
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
VSONP
Serie:
NexFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
10,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.4V
Tensione di soglia gate minima:
1.7V
Dissipazione di potenza massima:
3,2 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.8mm
Altri termini di ricerca: 8274909, Semiconduttori, Discreti, Texas Instruments, CSD18563Q5A
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