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MOSFET Infineon, canale N, 21,6 mΩ, 9,7 A, SOIC, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8273903
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF8313TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043894270
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9,7 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
21,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Tensione di soglia gate minima:
1.35V
Dissipazione di potenza massima:
2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Altri termini di ricerca: 8273903, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF8313TRPBF
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Prezzo
Accessori
Trasformatore di corrente EPCOS, ingresso 20A, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
a partire da € 4,038*
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