MOSFET Infineon, canale N, 2,6 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2. OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.. Canale N - modalità potenziata Qualifica AEC MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C Temperatura d'esercizio: 175 °C Prodotto non inquinante (conformità RoHS)