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MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 310 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetti  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8232952
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN65D8L-7
EAN/GTIN:
     5059043267258
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
310 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
4 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
540 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 8232952, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMN65D8L7
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