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MOSFET Vishay, canale P, 156 mΩ, 3,8 A, 1206 ChipFET, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8181352
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI5935CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040741263
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
3,8 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
1206 ChipFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
156 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
3,1 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 8181352, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI5935CDCT1GE3
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