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MOSFET Nexperia, canale P, 210 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8166928
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMV160UP
EAN/GTIN:
     5059043104478
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1,2 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
210 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
0.95V
Tensione di soglia gate minima:
0.45V
Dissipazione di potenza massima:
2,17 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
+8 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 8166928, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PMV160UP
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