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MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 2,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-8152733
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFL014TRPBF
EAN/GTIN:
     5059040811218
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,7 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-223
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
3,1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8152733, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFL014TRPBF
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