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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 8 Ω, 240 mA, SOT-323, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-8123069
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI1330EDL-T1-GE3
EAN/GTIN:
5059040792241
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
240 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-323
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
280 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
8123069
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SI1330EDLT1GE3
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