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MOSFET Vishay, canale P, 3 Ω, 2,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8120650
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFR9214TRPBF
EAN/GTIN:
     5059040783232
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
2,7 A
Tensione massima drain source:
250 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
50 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8120650, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFR9214TRPBF
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