Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-8115197 N. Art. Produtt.:
IS61WV6416DBLL-10TLI EAN/GTIN:
5059045531753 |
| | Termini di ricerca: SRAM |
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| RAM statica, ISSI. I prodotti con RAM statica ISSI usano la tecnologia CMOS ad alte prestazioni. Esiste una vasta gamma di RAM statiche che comprende la SRAM asincrona da 5 V ad alta velocità, la SRAM asincrona a bassa potenza e alta velocità, le SRAM asincrone da 5 V a bassa potenza, la RAM statica CMOS a bassissima potenza e le SRAM asincrone a bassa potenza PowerSaver ;sup>TM ;/sup>. I dispositivi SRAM ISSI sono disponibili con diverse tensioni, dimensioni della memoria e organizzazioni. Sono utilizzabili in applicazioni come la memoria cache CPU, i processori integrati, il disco rigido e gli interruttori nell'elettronica industriale.. Alimentatore: 1,8 V/3,3 V/5 V Pacchetti disponibili: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP Configurazione disponibili: x8 e x16 Funzione ECC disponibile per SRAM asincrone ad alta velocità Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 1Mbit | Organizzazione: | 64k x 16 bit | Numero di parole: | 64k | Numero di bit per parola: | 16bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 10ns | Larghezza del bus indirizzi: | 16bit | Bassa potenza: | Sì | Temporizzazione: | Asincrono | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | TSOP | Numero pin: | 44 | Dimensioni: | 18.54 x 10.29 x 1.05mm | Altezza: | 1.05mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V | Lunghezza: | 18.54mm |
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| Altri termini di ricerca: 8115197, Semiconduttori, Memorie, ISSI, IS61WV6416DBLL10TLI |
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