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MOSFET onsemi, canale N, 11 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8090809
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB050AN06A0
EAN/GTIN:
     5059042653229
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
11 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
245 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 8090809, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDB050AN06A0
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