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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 164 A, canale N, PLUS264


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N. Articolo:
     3369E-8080237
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYB82N120C3H1
EAN/GTIN:
     5059041699938
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdita di energia minima. Questi dispositivi offrono tempi di commutazione rapidi con bassa corrente di coda e sono disponibili in una varietà di pacchetti con standard del settore e proprietari. Elevata densità di potenza e bassa tensione di saturazione Aree di sicurezza in polarizzazione inversa (RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Areas) quadrata fino al valore previsto di tensione di scarica distruttiva Capacità di corto circuito per 10 μsec Coefficiente di temperatura positivo, tensione in stato attivo Diodi in pacchetto combinato opzionale Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ Pacchetti per alta tensione con standard internazionale e proprietario
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
164 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
1040 W
Tipo di package:
PLUS264
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
50kHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
20.29 x 5.31 x 26.59mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 8080237, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXYB82N120C3H1
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MGJ3T12150505MC-R7
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