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IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (TO-263)


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8076660
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     HGT1S10N120BNST
EAN/GTIN:
     5059042499100
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
SMD transistor
Transistor SMD
IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
298 W
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10.67 x 11.33 x 4.83mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, smd transistor, 8076660, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, HGT1S10N120BNST
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Accessori
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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