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MOSFET onsemi, canale N, 82 mΩ, 4,7 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-8063630
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS3890
EAN/GTIN:
     5059042655711
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC. Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,7 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
82 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
1,6 W, 2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
4.9mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 8063630, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDS3890
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