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MOSFET IXYS, canale N, 39 mΩ, 112 A, SOT-227, Montaggio a vite


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8047599
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFN132N50P3
EAN/GTIN:
     5059041489010
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
112 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
39 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
1,5 kW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
38.23mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 8047599, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFN132N50P3
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