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MOSFET onsemi, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8022534
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVR1P02T1G
EAN/GTIN:
     5059042487176
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Dissipazione di potenza massima:
400 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.04mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 8022534, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVR1P02T1G
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