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MOSFET IXYS, canale N, 200 mΩ, 30 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-8011386
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFH30N50Q3
EAN/GTIN:
     5059041143882
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura. Diodo raddrizzatore intrinseco rapido RDS(on) e QG (carica gate) ridotti Bassa resistenza di gate intrinseca Contenitori conformi allo standard industriale Contenitore a bassa induttanza Alta densità di potenza
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
30 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
HiperFET, Q3-Class
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
6.5V
Dissipazione di potenza massima:
690 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
16.26mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 8011386, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFH30N50Q3
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